Technologie zur Herstellung dreidimensionaler Siliziumstrukturen
Im Hinblick auf die Herstellung dreidimensionaler Strukturen für den Einsatz in der Mikrotechnik, aber auch in der Halbleiterfertigung, sollte eine Technologie zur Herstellung dreidimensionaler Bauelemente in Silizium entwickelt und optimiert werden. Hierzu sollten zunächst Photolithographieprozesse für verschiedene Standard-Halbleiter-Photolacke entwickelt werden. Als Ätzprozess sollte ein in der Literatur beschriebenes Verfahren eingesetzt und entsprechend den jeweils gegebenen Randbedingungen angepasst und optimiert werden. Als Ergebnis sollte eine reproduzierbare, vergleichsweise simple Technologie zur Erzeugung dreidimensionaler Strukturen in einkristallinem Silizium zur Verfügung stehen. Durch geeignete Wahl von Plasmaparametern und Maskenmaterial sollten die Ätzprozesse hinsichtlich Anisotropie, Selektivität und Uniformität charakterisiert werden. Nach Entwicklung und Optimierung der technologischen Prozessschritte sollten verschiedene dreidimensionale Strukturen wie z. B. tiefe Gräben mit unterschiedlichen Aspektverhältnissen hergestellt werden. Als Applikation der entwickelten Technologie sollte im Rahmen der vorliegenden Arbeit ein Silizium-Mikrogreifer hergestellt werden. Die zu entwickelnde Technologie soll als Standardtechnologie zur Herstellung neuer dreidimensionaler mikrotechnischer Strukturen in Silizium bereitgestellt werden.
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