Vermessung elektronischer Wellenfunktionen in Halbleitern: Von Quantenpunkten zu komplexeren Systemen

Mit Hilfe der Rastertunnelspektroskopie bei tiefen Temperaturen ist die lokale elektronische Zustandsdichte des III-V-Halbleiters InAs in verschiedenen Dimensionen vermessen worden. Dabei wurde neben der Dimension auch das externe Magnetfeld und die Unordnung als thermodynamische Parameter variiert. In nulldimensionalen Quantenpunkten konnten einzelne Wellenfunktionen abgebildet werden. In höherdimensionalen Systemen wurden stets mehrere Wellenfunktionen gleichzeitig abgebildet. Unterschiedliche Effekte wie Perkolation, schwache Lokalisierung, Driftzustände im Magnetfeld oder partielle Lokalisierung im extremen Quantenlimes konnten im Realraum dargestellt werden.