Photoelektrische Untersuchungen an aufgedampften Nickel-, Wismut- und Germanium-Schichten

Suhrmann, Rudolf; Lessen, Lothar, van

doi:10.24355/dbbs.084-201212201539-0

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Photoelektrische Untersuchungen an aufgedampften Nickel-, Wismut- und Germanium-Schichten

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Ni-, Bi- und Ge-Filme werden im Hochvakuum bei 90°K aufgedampft und entweder im ungeordneten Zustand oder, nach Temperung bei Raumtemperatur, im geordneten Zustand lichtelektrisch mit spektral zerlegtem Licht untersucht. - Bei Ni-Filmen nimmt das Austrittspotential [Phi] beim Ordnungsvorgang um 0,4 Volt zu, die Mengenkonstante auf 1/35 ab. Die für den Ordnungsvorgang erforderliche Aktivierungsenergie wird zu 803 cal/Mol bestimmt. - Die Darstellung der spektralen Empfindlichkeit der Bi- und Ge-Filme erfordert je zwei Werte für [Phi] und die Mengenkonstante. Das Verhalten dieser Größen läßt sich mittels des Bändermodells für Halbleiter darstellen.

Films of Ni, Bi and Ge are evaporated on cooled glass surfaces (90°K) in high vacuum. The quantum yield for the emission of photoelectrons is measured before (disordered film) and after tempering at 298°K (ordered film). The work function [Phi] of the disordered Ni-film is smaller by 0.4 volts than that of the same film in the ordered stage. The activation energy for cristallisation is 803 cal/mol. - The representation of the spectral photoelectric sensitivity of the semiconducting films of Bi and Ge needs two values [Phi]1 and [Phi]2 and two constants M1 and M2 which measure the number of the centers emitting electrons. The variation of these constants with temperature and cristallisation is discussed by the theory of semiconductors.