Energiebarrieren der Versetzungsbewegung in Kupfer : Atomistische Simulation
Ein mikroskopischer Mechanismus der plastischen Verformung kristalliner Materialien ist die Bewegung von Versetzungen. In dieser Arbeit werden die elementaren Energiebarrieren der Bewegung aufgespaltener Versetzungen in Kupfer untersucht. Die Ergebnisse basieren auf einer atomaren Simulation der Versetzung mit und ohne Fremdatome mit einem Finnis-Sinclair Potential und den Methoden der quasistatischen Simulation und der Nudged-Elastic-Band Methode.
One basic mechanism of plastic deformation of crystal solids is the movement of dislocations. This thesis presents investigations on energy barriers for dissociated dislocations in copper. The results were obtained using an atomistic simulation of dislocations in bulk material and with impurities present based on Finnis-Sinclair potentials. Quasistatic simulations and the Nudged-Elastic-Band method were used.
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